IRF6655
DirectFET ? Substrate and PCB Layout, SH Outline
(Small Size Can, H-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding PCB assembly using DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
8
www.irf.com
相关PDF资料
IRF6665TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
IRF6668TR1 MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
IRF710STRLPBF MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK
IRF7201TR MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
IRF7204 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
IRF7207TR MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
IRF720 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
IRF7220 MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF6655TR1PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6655TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 3.4A, DIRECTFET SH
IRF6655TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6662 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 8.3A 7PIN DIRECT-FET MZ - Tape and Reel
IRF6662TR1 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF6662TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 47A 22mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6662TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6662TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube